大摩：明年内(nei)存芯片市场(chang)，不是(shi)“好”，而是(shi)“大好”！,需求,价格,周期性
2024-01-05 14:24:43
存储芯片行业熬过了凛冽寒冬，正迎(ying)来周期性需求改善。
摩根士(shi)丹利在周三的报告中再次上调存储芯片涨价预期，其指(zhi)出从(cong)修正后的每股收益来看，美股内(nei)存股现在较上一个周期要便宜得多，存储芯片行业将进入(ru)周期性增长加速、需求明显提高的时期。
大摩在报告中指(zhi)出，下游补库存，供给远(yuan)低于需求，明年一季度存储芯片价格有望大幅上涨：
我们预计DRAM（内(nei)存）和(he)NAND（闪存）价格将在明年第一季度上涨20%，最新的预计较此前增幅翻倍，此前的预期是(shi)DRAM价格涨幅为8-13%，NAND价格涨幅为5-10%。
下游客户已经开始(shi)补库存，中国智能手机OEM厂2024年Q1订单量将大幅增加，电脑ODM/ OEM也在建立库存。而智能手机制造(zao)商重新补库存将带来价格的上涨，库存将恢复到正常(chang)水平(移动DRAM需要4-6周，NAND需要6-7周)。
从(cong)供需方面来看，存储厂商在大幅减产之后，产量远(yuan)远(yuan)低于需求，随着着需求的改善，2024年的价格上涨前景将更加明确(que)。
我们预计DRAM（内(nei)存）和(he)NAND（闪存）价格将在明年第一季度上涨20%，最新的预计较此前增幅翻倍，此前的预期是(shi)DRAM价格涨幅为8-13%，NAND价格涨幅为5-10%。
下游客户已经开始(shi)补库存，中国智能手机OEM厂2024年Q1订单量将大幅增加，电脑ODM/ OEM也在建立库存。而智能手机制造(zao)商重新补库存将带来价格的上涨，库存将恢复到正常(chang)水平(移动DRAM需要4-6周，NAND需要6-7周)。
从(cong)供需方面来看，存储厂商在大幅减产之后，产量远(yuan)远(yuan)低于需求，随着着需求的改善，2024年的价格上涨前景将更加明确(que)。
进一步来看，大摩指(zhi)出，人工智能需求将进一步提振存储芯片价格：
我们还需要考虑(lu)到2024年HBM芯片100亿美元市场(chang)规模增长的影响，以及人工智能需求的突然出现将导致供应短缺延(yan)长。
此外，虽然人工智能应用程序大部分都部署在云端，但从(cong)2024年开始(shi)，边缘需求将变得越(yue)来越(yue)普遍(移动人工智能)，并可能逐渐进入(ru)智能手机升级周期。
我们还需要考虑(lu)到2024年HBM芯片100亿美元市场(chang)规模增长的影响，以及人工智能需求的突然出现将导致供应短缺延(yan)长。
此外，虽然人工智能应用程序大部分都部署在云端，但从(cong)2024年开始(shi)，边缘需求将变得越(yue)来越(yue)普遍(移动人工智能)，并可能逐渐进入(ru)智能手机升级周期。
总的来看，大摩认为，随着每股收益同比(bi)增长加速，内(nei)存股往往表现优异，现在刚刚进入(ru)周期中期/乐观(guan)阶段，DRAM现货(huo)价格同比(bi)为-16%，距离峰值水平仍有距离。而抛开估值不谈，存储芯片周期已经从(cong)2023年第一季度的低点恢复，进入(ru)2024年将进一步改善。
根据最新的行业数据，大摩上调了三星和(he)SK海力士(shi)的每股收益预期，并预计海力士(shi)将在第四季度实现盈(ying)利，并在HBM市场(chang)份额增长和(he)大宗商品价格大幅改善的推动下，进入(ru)盈(ying)利周期，到2024年底/ 2025年初将达(da)到创纪录(lu)的水平。三星则将通过内(nei)存涨价快速提高利润(run)率，同时或将从(cong)融入(ru)AI技术的S24 edge产品中受(shou)益，该产品将在2024年第一季度推出。
